На Дальнем Востоке построят крупнейший в России комплекс по производству полупроводников стоимостью 35 млрд рублей

03.09.2026 10:07

Компания "ИКС Холдинг" до 2030 года намерена построить в Приморском крае комплекс по выпуску сложных полупроводниковых компонентов, пишет РБК. Проект, соглашение о реализации которого было подписано на Восточном экономическом форуме, предполагает создание площадки для производства изделий на основе арсенида и нитрида галлия, востребованных в космической отрасли, телекоммуникациях и радиоэлектронике.

Согласно планам компании, комплекс площадью более 35 тыс. кв. м станет крупнейшим в России производством подобного профиля. Предприятие будет выпускать сверхвысокочастотные (СВЧ) компоненты, а также фотоэлектрические преобразователи для космической техники. Проектная мощность составляет до 5 млн СВЧ-микросхем и до 500 тыс. космических фотоэлектрических преобразователей ежегодно. На заводе планируется создать около 500 рабочих мест для инженерного персонала.

Основным потребителем продукции станут компании, входящие в структуру "ИКС Холдинга". В частности, СВЧ-компоненты необходимы для телекоммуникационного оборудования (Yadro), а фотоэлектрические преобразователи предназначены для спутниковой группировки "Рассвет" ("Бюро 1440″). По заявлению руководства холдинга, компоненты такого уровня в настоящее время в России серийно не производятся, поэтому создание собственной базы критически важно для развития конечных систем связи. В будущем компания рассматривает возможность поставок изделий внешним заказчикам.

Выбор Приморского края в качестве производственной площадки эксперты связывают с несколькими факторами. К ним относятся близость к рынкам стран Азиатско-Тихоокеанского региона, которая упрощает логистику поставок компонентов и материалов, а также наличие налоговых и таможенных льгот, предоставляемых в рамках режима территорий опережающего развития (ТОР) и свободного порта Владивосток. Кроме того, важную роль играет кадровый потенциал, формирующийся при участии Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) и научно-технологического центра "Русский".

Развитие технологий на базе нитрида галлия эксперты называют перспективным направлением микроэлектроники. В отличие от кремниевых решений, такие компоненты обладают более высокой эффективностью и способностью работать при повышенных температурах. По оценкам аналитиков, существующие в стране мощности по производству подобных компонентов покрывают лишь небольшую часть рыночного спроса, поэтому строительство новых предприятий является необходимым шагом для снижения зависимости от импорта высокотехнологичных комплектующих. Правительство РФ и Минпромторг намерены курировать реализацию проекта, в том числе через разработку дорожной карты по обеспечению площадки инфраструктурой и энергоресурсами.

Напомним, ранее "Кабельщик" писал, что Минпромторг готовит новую схему поддержки разработки оборудования для производства чипов.